LPCVD改造翻新是根据客户的要求及现有机台的状况给出最优的解决方案，可实现常压扩散炉改为LPCVD，也可实现LPCVD中不同工艺的更换。

LPCVD技术指标
1.1工作温度：300～900℃
1.2适用硅片尺寸：4～6英寸
1.3装片数量：正片100～150片/管
1.4恒温区长度：1000mm

1.5恒温区稳定性：≤±0.5℃
1.6极限真空度：6mTorr
1.7淀积膜均匀性：片内≤±3%，片间≤±3%，批间≤±3%，

1.8气源系统：进口配件、自动轨道焊接

1.9控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS系统，中文操作界面，方便简洁）

可选配置：
1.1工艺管数量：1～4管

1.2进出舟模式：手动送片/自动送片（悬臂模式、软着陆模式）

1.3控压模式：MKS蝶阀控制模式和N2吹扫模式

1.4适用工艺：Poly、D-Poly、Si3N4、TEOS、PSG、SIPOS、LTO等